bandgap
|band-gap|
/ˈbændɡæp/
energy gap between valence and conduction bands
価電子帯と伝導帯の間のエネルギーのすき間
語源
「bandgap」は現代英語に由来し、単語「band」と「gap」を組み合わせて作られた合成語です。
「band」は古英語の 'bænd'/'band'（帯、結びつけるもの）および古ノルド語の 'band' に由来し、「gap」は古ノルド語の 'gap'（開口、欠損）に由来します。物理学での合成語「band gap」は20世紀に電子バンド構造のエネルギーの「隙間」を表すために生まれました。
もともと各構成語は物理的な『帯』と『隙間』を指しましたが、現代では固体の電子バンド構造におけるエネルギー領域やその差を特に指すようになりました。
品詞ごとの意味
名詞 1
the range of energies in a solid where no electron states exist between the valence band and the conduction band (a forbidden energy region in the electronic band structure).
価電子帯と伝導帯の間に電子状態が存在しないエネルギー領域（禁制帯）
The material's bandgap prevents electrons from occupying energies in that range.
その材料のバンドギャップは電子がそのエネルギー帯に存在するのを妨げる。
同意語
反意語
名詞 2
the numeric energy difference (usually measured in electronvolts, eV) between the top of the valence band and the bottom of the conduction band; a key property that determines a material's electrical and optical behavior (e.g., semiconductor vs. insulator, direct vs. indirect bandgap).
価電子帯の上端と伝導帯の下端のエネルギー差（通常eVで表される）。材料の電気的・光学的性質を決める重要な値
The bandgap of silicon is about 1.12 eV.
シリコンのバンドギャップは約1.12 eVです。
同意語
反意語
最終更新時刻: 2026/01/10 06:30